5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。
相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。
正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)下降。
SK 海力士再次確認(rèn)，根據(jù)截至今年底的生產(chǎn)能力，目前該企業(yè)已經(jīng)完成了對(duì) 2025 年 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能的分配；
三星電子方面則稱自身 HBM 訂單情況和對(duì)手大致相同，也已售罄，并預(yù)估明年不會(huì)出現(xiàn) HBM 內(nèi)存供過于求的情況。
三星電子代表確認(rèn)該公司 HBM4 內(nèi)存計(jì)劃于明年完成開發(fā)，2026 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并表示三星電子計(jì)劃在 HBM4 內(nèi)存中開始應(yīng)用混合鍵合。
IT之家稍早前的報(bào)道中提到，SK 海力士認(rèn)為其在 HBM4 上就應(yīng)用混合鍵合的可能性不大，持有同三星電子不一致的觀點(diǎn)。
此外，兩家企業(yè)均對(duì)企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤市場(chǎng)持樂觀態(tài)度，三星電子方面的代表認(rèn)為相關(guān)需求的增長(zhǎng)將是長(zhǎng)期趨勢(shì)。