5 月 10 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星電子內(nèi)部已對(duì)其 HBM 內(nèi)存開(kāi)發(fā)部門(mén)進(jìn)行“雙軌化”改造，以增強(qiáng)其在 HBM 業(yè)務(wù)上的競(jìng)爭(zhēng)力。

具體而言，由現(xiàn)有 DRAM 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé) HBM3E 內(nèi)存的后續(xù)研發(fā)工作，而三月成立的 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注開(kāi)發(fā)下一代 HBM 內(nèi)存 ——HBM4。

新設(shè)立的 HBM 專門(mén)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)由三星電子 DRAM 開(kāi)發(fā)副總裁 Hwang Sang-joon 負(fù)責(zé)，直接向存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部總裁李禎培匯報(bào)工作，同時(shí)三星近期已將部分人力轉(zhuǎn)移至該團(tuán)隊(duì)。

作為 AI 算力芯片的優(yōu)秀輔助，HBM 內(nèi)存早已成為業(yè)界前沿?zé)狳c(diǎn)。而下一代 HBM4 內(nèi)存將在多個(gè)維度引入較大變化，在帶來(lái)更多可能性的同時(shí)研發(fā)難度也隨之提升：

一方面，HBM4 內(nèi)存在堆疊上將普及 12 層，首發(fā) 16 層，也帶來(lái)了更大的晶圓翹曲風(fēng)險(xiǎn)；

另一方面，HBM4 內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片（Base Die）將走向定制化，產(chǎn)品具體特性要跟隨用戶需求調(diào)整。

此外，根據(jù)IT之家近日?qǐng)?bào)道，SK 海力士已將其 HBM4 內(nèi)存的 12 層堆疊版本的量產(chǎn)時(shí)間前移至 2025 年下半年，三星電子目前仍維持 2026 年的預(yù)設(shè)目標(biāo)。

三星此番組建 HBM4 獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，意在化解內(nèi)存開(kāi)發(fā)難題，縮短開(kāi)發(fā)周期，從而在 HBM4 節(jié)點(diǎn)重振 HBM 內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)力，從 SK 海力士手中奪回市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)